(리포트)미국과 중국의 입법 비교(영문)

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(리포트)미국과 중국의 입법 비교(영문).ppt

본문 1. Orientations Sapphire 는 Hexagon/rhombohedral 구조로 많은 특성이 결정의 방향에 따라 결정이 된다. Epi growth 에 대해서는, 다른 결정 방향은 epi 물질과 일치하는 격자상수의 범위를 가져야 한다. 2. Substrates C-plane sapphire 기판은 Blue LED 에 사용되는 GaN 과 같은 3-5족과 2-4족에 사용되어진다. 더욱이, C-plane 은 infrared detector 의 적용분유에 유용하다. A-plane 기판은 일정한 유전율을 가지고, hybrid microelectronic application 에 사용되어지는 높은 절연성을 또한 가진다. High Tc superconductors 은 이 기판을 사용하여서 만들어질 수가 있다. R-plane 기판은 microelectronic IC 에 사용을 위해서 실리콘의 Hetero-epitaxial 증착에 사용되어진다. Sapphire 는 높은 유전율 때문에 microwave IC 와 같은 hybrid 기판에 사용이 적당하다. 게다가, epitaxial 실리콘 과정에 필름을 바를 때, 빠른 속도의 IC 와 pressure transducers 이 만들어 질 수 있다. Thallium 성장시, 다른 superconducting components, high impedance resistors, and GaAs 이 적용될 수 있다. 3. Application - GaN, 3-5 족, 2-4족 Compounds - IR Detectors - High Tesuperconductors and High Frequency Dielectrics. High speed ICs and Pressure Transducers GaAs wafer carriers SOS (Silicon On Sapphire) Orientation : A-Plane(1120), C-Plane(0001), R-Plane(1012) 하고 싶은 말 좀 더 업그레이드하여 자료를 보완하여, 과제물을 꼼꼼하게 정성을 들어 작성했습니다. 위 자료 요약정리 잘되어 있으니 잘 참고하시어 학업에 나날이 발전이 있기를 기원합니다 ^^ 구입자 분의 앞날에 항상 무궁한 발전과 행복과 행운이 깃들기를 홧팅 키워드 기판, 재료, 사용, 스퍼터링, 표면, 표적재료