실험레포트 물리실험 결과 및 토의

실험레포트 물리실험 결과 및 토의

[실험레포트] 물리실험 결과 및 토의.hwp

본문 1. 멀티미터를 이용해 저항, 저항, 전류를 측정하는 실험을 하였다. 이번 실험을 통해 멀티미터의 기능과 명칭과 사용법을 알 수 있었다. 비교적 실험이 간단했으며 색띠 저항 이론값의 계산이 용이했다. 저항을 측정하는 실험 결과 이론값과 실험값과의 오차는 0.2%~1.31% 였다. 회로를 연결하고 A와 D사이의 저항을 측정한 결과 오차는 0.5%~8.2%로 B와 C사이의 저항의 오차가 가장 높았다. 전류와 전압을 측정하는 실험은 직렬연결과 병렬연결이 혼합된 연결을 했으며 회로 연결할 때 전류계와 전압계의 +와 -를 주의하여 연결해야 했다. 전원공급장치의 전압을 0V~10V까지 한 단계씩 올려 실험하였고, 전압과 전류 둘 다 점점 증가하는 실험값을 얻었다. 2. 병렬회로에서 전압을 직렬회로에서 전류를 측정하는 실험을 하였다. 연휴 이후에 실험을 하여 지난 시간에 실험했던 멀티미터의 사용법과 이론값을 계산하는데 어려움을 겪었지만 비교적 실험이 간단했다. 전류와 전압을 5V와 10V로 측정하여 옴의 법칙에 의해 저항값을 구하여 실험값과 이론값을 비교했다. 직렬회로1실험과 2실험에서 전압들이 2배씩 증가하였으며 오차는 1%~2%였고 병렬회로 역시 마찬가지 였다. 하지만 직렬회로에서 전체저항의 값과 전압이 같지는 못하였다. 3. 오실로스코프를 이용해 교류전압과 주기를 측정하는 실험을 하였다. 오실로스코프와 함수발생기가 생소하였지만 구조와 올바른 사용방법, 사용시 주의할 점 등을 이해하고 숙지할 수 있었다. 실험은 간단하였지만 오실로스코프를 처음 사용해 보는 터라 실험이 지체되었다. 오실로스코프 화면에 나타나는 파형을 수직감쇠 지시치를 이용하여 파형을 고정시켜 관찰하기 쉽도록 한 후에 식을 이용하여 함수발생기에서 발생된 주파수와 오실로프코프에서 나타나는 주파수를 비교해 보았다. 실험세부 사항으로 실험을 하면서 함수 발생기의 주파수의 단순변환 뿐만 아니라 함수발생기의 측정범위의 변화 및 TIME/DIV를 변환하면서 그에 따른 오실로스코프에 나타나는 주파수를 측정하였다. 교류전압의 측정은 VOLTS/DIv와 관계없이 모두 같은 실험 값을 얻었고 주기 및 시간측정은 주파수가 높을수록 측정 주기는 감소하고측정 주파수는 증가하는 결과를 얻었습니다. 이번 실험은 다이오드를 이용하여 pn접합형 반도체의 전류를 측정하는 것이었다. 실험은 순방향과 역방향 두 번을 실시하였으며, 순방향의 경우는 전류의 단위가 ㎃이었고, 역방향의 경우는 단위가 ㎂였다. 순방향 바이어스는 전원의 (-)단자는 N형 반도체에, (+)단자는 P형 반도체에 연결되어 있다. 이러한 연결을 순방향 바이어스라고 한다. 순방향 바이어스 상에서는 전원의 (-)극성의 반발력에 의해 N형 영역의 다수 캐리어인 과잉전자가 접합면을 넘어 P형 영역으로 이동한다. 이 때 P영역으로 이동된 전자는 약 5 % 는 정공과 결합하여 재결합전류를 생성하고 나머지 95 % 는 전원의 (+)단자로 이동한다. 이러한 과정의 반복으로 전류의 흐름은 지속되고 외부 회로의 전압 V를 증가하면 전류의 흐름도 증가한다. 실리콘 다이오드는 0.7 V , 게르마늄 다이오드는 0.3 V 이상의 전압을 인가하여야 전류가 흘러 다이오드가 통한다. 역방향 바이어스는 전원의 (+)단자는 N형 반도체에, (-)단자는 P형 반도체에 연결하면 N영역의 다수 캐리어인 과잉 전자는 (+)단자 쪽으로 이동하고 P형 반도체의 다수 캐리어인 정공은 (-)단자 쪽으로 이동한다. 이 이동된 전자와 정공에 의해 공핍 층의 폭이 넓어져 존위장벽이 높기 때문에 전류가 흐르지 않는다. 하고 싶은 말 좀 더 업그레이드하여 자료를 보완하여, 과제물을 꼼꼼하게 정성을 들어 작성했습니다. 위 자료 요약정리 잘되어 있으니 잘 참고하시어 학업에 나날이 발전이 있기를 기원합니다 ^^ 구입자 분의 앞날에 항상 무궁한 발전과 행복과 행운이 깃들기를 홧팅 키워드 실험, 전류, 측정, 단자, 주파수, 회로