실험 05 트랜지스터의 DC 특성 예비보고서

실험 05 트랜지스터의 DC 특성 예비보고서

실험 05. 트랜지스터의 DC 특성 예비보고서.hwp

본문 (Electronic Circuits Experiments) 제목: 실험 5. 트랜지스터의 DC 특성 예비보고서 담당교수: 배 현 덕 교수님 소 속: 전자공학과 3학년 학 번: 94040010 이 름: 김 영 희 실 험 조: 제 3 조 제 출 일: 99. 3. 24 1. 실험제목 : 트랜지스터의 DC 특성 2. 실험목적 1) Transistor의 바이어스에 익숙해진다. 2) 에미터-베이스 회로에서 순방향 및 역방향 바이어스가 에미터-베이스 전류에 미치는 영향을 측정한다. 3) ICBO를 측정한다. 4) CE 구성에 대한 VCE 대 IC 특성 곡선을 실험적으로 결정한다. 5) β값을 결정한다. 3. 기초이론 접합 트랜지스터(junction transistor)는 두 개의 pn접합이 아주 가까운 간격으로 배치된 것과 같은 물리적 구조를 가지고 있다. 이들은 반도체층의 배열순서에 따라 npn 또는 pnp트랜지스터라고 하며 3개의 반도체층을 차례로 에미터(emitter), 베이스(base), 콜렉터(collector)라고 한다. 여기에서 에미터는 두텁게 도핑되고, 베이스는 0.02mm정도로 대단히 얇게 도핑된다. 콜렉터의 도핑 레벨은 에미터와 베이스 사이의 중간 정도이다. (a) npn 트랜지스터 (b) pnp 트랜지스터 트랜지스터를 구성하는 2개의 pn접합에서 첫 번째 접합은 에미터-베이스 접합이며 순방향 바이어스 상태에서 동작한다. 여기에서 에미터는 움직일 수 잇는 전하 캐리어원의 역할을 하고, 에미터와 베이스 사이의 전압이 베이스로 확산해 들어가는 전류를 제어한다. 두 번째 접합은 콜렉터-베이스 접합으로 역바이어스 상태에서 동작한다. 지금부터 npn트랜지스터에서의 전류의 흐름에 대하여 알아본다. 순방향 바이어스가 에미터-베이스 접합에 걸리는 순간에는 에미터내에 있는 전자들이 아직은 베이스에 들어가지 않고 있다. 만일 VEB가 전위장벽(실리콘의 경우 0.7V)보다 커지면 에미터내의 전자들은 베이스쪽으로 움직여 들어간다. 베이스내의 이러한 전자들은 두 방향으로 흘러나가게 되는데 하나는 베이스 도선을 통해 흘러가고 나머지 한 방향은 콜렉터 접합면을 통과하여 콜렉터 영역으로 들어간다. 이때 베이스 전류의 아래 방향의 성분을 재결합 전류(recombination current)라 한다. 이 재결합 전류의 크기는 베이스가 소량의 정공들로 얇게 도핑되어 있기 때문에 적다. 트랜지스터의 작용에 있어서 베이스 영역이 매우 좁다는 것은 대단히 중요하다. 베이스는 콜렉터 공핍층으로 확산을 일으키는 전도대 전자들의 주입에 의해 형성되어져 있다. 이 때 베이스-콜렉터 접합은 역바이어스되어 있으므로 공핍층내에서 자유전자들이 공핍층의 강한 전계에 의해 콜렉터 영역으로 밀려들어가면 콜렉터 외부단자로 흘러나가 콜렉터 전류가 된다. 베이스 폭은 재결합이 p영역에서 일어나기 전에 전자가 확산할 수 있는 평균거리 보다 훨씬 작게 만들기 때문에 에미터에서 베이스로 확산하는 전자들의 95% 이상이 베이스를 지나서 베이스-콜렉터 접합에 도달하게 되고 공핍층의 전계에 의해서 전자들은 연속적으로 콜렉터 영역으로 흐르게 된다. 또 이들 전자들은 콜렉터를 떠나 외부의 콜렉터 단자로 흘러 들어가며, 콜렉터 전원전압의 양(+)의 단자로 흘러 들어간다. 하고 싶은 말 좀 더 업그레이드하여 자료를 보완하여, 과제물을 꼼꼼하게 정성을 들어 작성했습니다. 위 자료 요약정리 잘되어 있으니 잘 참고하시어 학업에 나날이 발전이 있기를 기원합니다 ^^ 구입자 분의 앞날에 항상 무궁한 발전과 행복과 행운이 깃들기를 홧팅 키워드 베이스, 콜렉터, 에미터, 전류, 트랜지스터, 특성